Компания Toshiba America Electronic Components, подразделение корпорации Toshiba, представила новые микросхемы памяти NAND-флэш объемом 4 и 8 Гбит, выполненные с применением технологии MLC (Multi Level Cell) и 90-нанометрового технологического процесса. Серийное производство начнется в третьем квартале нынешнего года, поставки же образцов четырехгигабитных (TC58NVG2D4BFT00) и восьмигигабитных (TH58NVG3D4BFT00) чипов запланированы на апрель-май этого года. Цена микросхем при этом составит 113 и 226 долларов США, соответственно. Кроме того, в дальнейшем Toshiba намерена наладить выпуск чипов NAND-флэш объемом в 16 Гбит.
Следует добавить, что разработка новых чипов велась совместно с компанией Sandisk, которая также представила собственные реализации микросхем объемом в 4 и 8 Гбит, технологически ничем не отличающиеся от чипов Toshiba. Правда, Sandisk планирует использовать все производимые чипы в собственных флэш-картах памяти, а не продавать их в виде отдельных компонентов.
Основные характеристики новых микросхем NAND-флэш:
- Напряжение питания 2,7-3,6 В
- Размер страницы 2048 + 64 байт
- Время записи 600 микросекунд на страницу
- Время стирания 2 миллисекунды на блок
- Время доступа: 50 микросекунд (первичный)/50 наносекунд (последовательный)
- Корпусировка: 48 контактов, TSOP тип 1, размеры 12 x 20 x 1,2 мм
