Hardware

На проходившем с 17 по 19 февраля 2004 года в калифорнийском городе Сан-Франциско очередном весеннем форуме Intel для разработчиков (IDF 2004) корпорация Intel объявила о разработке первой в мире флэш-памяти типа NOR, изготовленной по 0,09-микронному технологическому процессу. Память Intel Wireless Flash Memory построена на основе технологий Intel девятого поколения и предназначена для использования в беспроводных портативных устройствах.

Сравнение кристаллов флэш-памяти: сверху - 0,09-микронный техпроцесс, снизу - 0,13-микронный

В своем докладе на IDF 2004 исполнительный вице-президент Intel Шон Мэлоуни рассказал, что микросхемы флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные в соответствии с 0,09-микронным техпроцессом, имеют почти вдвое меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения, что позволяет снизить их себестоимость и увеличить объемы производства. Первые компоненты энергонезависимой Wireless Flash Memory будут иметь плотность в один бит на ячейку, а затем появятся чипы на базе технологии Intel Multi-level cell (MLC), которая позволяет удвоить количество информации, хранимой в одной ячейке. Если первые чипы нового типа имеют емкость 64 Мбит, то микросхемы с использованием технологии MLC будут иметь емкость 256 и 512 Мбит.

Как сообщил вице-президент подразделения Intel по флэш-памяти Том Лэйси, в чипах Wireless Flash Memory реализованы сразу четыре новации: малое напряжение питания (1,8 вольт), непосредственное исполнение программного кода (execute-in-place), расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле.

Микросхемы флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory

Новые чипы флэш-памяти вошли в семейство микросхем Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP), которое отличают единая схема расположения выводов корпуса и общее управляющее программное обеспечение для компонентов с разной плотностью. Такая схема облегчает интеграцию компонентов и модернизацию устройств, а также дает возможность размещать большее количество памяти в меньшем объеме. Размеры корпуса Stacked-CSP составляют 8 х 11 мм. Сама корпорация Intel выпускает компоненты, объединяющие в себе флэш-память высокой плотности и ее различные подсистемы суммарной емкостью до 1 Гбайта.

Поставки образцов флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory емкостью 64 Мбит, начнутся в апреле, а начало массового производства новых чипов запланировано на третий квартал нынешнего года. Ориентировочная крупнооптовая цена (при поставках партиями по 10000 штук) составит 10,26 доллара США.

.